mos場效應管參數_mos管場效應管

d4148mos管參數

D4148MOS管是一和薯種N溝道MOS場效應管 ，其參數如下：

1. 最大漏極-源極電壓（VDS max）：30V

2. 最大柵極-源極電壓（VAH max）：20V

3. 最大柵極功率耗散（PD max）：250mW

4. 最大漏極電流（ID max）：300mA

5. 典型的柵極截止電壓（Vth）：-0.8V

6. 典型的漏極電阻（Rds on）：7.5Ω

7. 柵春棚純極電容（Cg）：33pF

8. 輸出電容（Coss）：18pF

這些參數僅扒咐供參考
，實際應用時應根據具體的電路設計和使用條件進行合理的選擇和調整。

場效應管5n60c技術參數

5N60C是N溝道MOS場培蘆效應管，漏極電流為4、5a ，脈沖電流允許18A
，D-S耐壓600V 。功耗:33W，工作溫度范圍:-55°C to +150°C ，封裝類型:TO-220F
，功率，Pd:33W ，閉激封裝類配態帶型:TO-220F，常用于開關電源中作開關管
。

MOS管和DCDC升壓轉換器的主要參數是···？

MOS管嘛也是

場效應管

的一種
，分結型和絕緣柵型，結型和絕緣柵型又各分為NMOS和PMOS ，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同
，只是

電源

極性

相反 。

主要參數記住

以下

幾點:Idss

:飽和漏源

電流

，是指結型或耗盡型

絕緣柵場效應管

中搭譽穗,

柵極

電壓

UAH =0時的漏源電流Up

:夾斷電壓 ，是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.

Ut

:開啟電壓
，知卜是指增強型絕緣柵

場效

管中,使漏源間剛

導通

時的柵極電壓

gM

:跨導，

此乃衡量場效應管放大能力的重要

參虛賀數

.

BVDS

:漏源

擊穿電壓

 ，是指柵源電壓UAH 一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓

PDSM:最大

耗散功率


，也是一項

極限參數

,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率IDSM

:

最大漏源電流，是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流

DC/DC轉換器是一種

開關型穩壓電源

 ，一般分為四種:

(1)

極性反轉式:其特點是

輸出電壓

的極性正好與

輸入電壓

相反
。特點是Vo=-VI
，二者的絕對值相同。除此之外，還有輸出固定負壓 、可調負壓兩種 。

(2)

升壓式:其特征是VOVI,

變換器

具有提升電源電壓的作用
。

(3)

降壓式:利用變換器來降低電源電壓 ，使VOVI

。

(4)

低壓差

集成穩壓器

 。這類集成穩壓器的輸入-輸出壓差低于0.5~0.6V，甚至在0.1V左右的壓差下已能正常工作
，能顯示提高

穩壓電源

的效率。

MOS管70SL500A參數

1 極限參數:　

ID :最大漏源電流.是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過 ID .此參數會隨結溫度的上升而有所減額.　

IDM :最大脈沖漏源電流.體現一個抗沖擊能力 ，跟脈沖時間也凳鎮有關系
，此參數會隨結溫度的上升而有所減額.　

PD :最大耗散功率.是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時，場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量.此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額.（此參數靠不?。?/p>

VAH :最大柵源電壓. ，一般為：-20V~+20V

Tj :最大工作結溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ 
，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量. （此參數靠不?。?/p>

TSTG :存儲溫度范圍.　

2 靜態參數　

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VAH 為 0 時 ，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數
，加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它棗鋒粗具有正溫度特性.故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負壓更好
。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數，一般為 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的 VAH (一般為 10V )
、結溫及漏極電基槐流的條件下 ， MOSFET

導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數
，決定了 MOSFET 導通時的消耗功率.此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大（正溫度特性）.

故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算.　

VAH (th) :開啟電壓(閥值電壓).當外加柵極控制電壓 VAH 超過 VAH (th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道.應用中 ，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓.此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低.　

IDSS :飽和漏源電流，柵極電壓 VAH =0 、 VDS 為一定值時的漏源電流.一般在微安級.　

IAH S :柵源驅動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大
，IAH S 一般在納安級.　

 、3 動態參數　

gfs :跨導.是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度. gfs 與 VAH 的轉移關系圖如下圖所示.

求貼片N-MOS場效應管 SI2302BDS的參數 和工作原理

SI2302是三極管mos場效應管參數的一種 ，屬激搭于增強模式場效掘鉛喚應晶體判凱管

主要參數mos場效應管參數：

晶體管類型 ：N溝道MOSFET

最大功耗PD ： 1．25W

柵極門限電壓VAH ： 2．5V（典型值）

漏源電壓VDS ：20V（極限值） 20v

漏極電流ID：2．8A

通態電阻RDS（on）：0．145ohm（典型值）

柵極漏電流IAH S：±100nA

結溫：55℃to＋150℃

替代型號：

封裝：

SOT－23（TO－236）

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，技術資料也有所不同，所以不能直接呈現 ，有需求的客戶請與聯系我們洽淡13715099949/聯系13715099949/13247610001
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